Agência FAPESP – Uma oportunidade de pós-doutorado, com Bolsa da FAPESP, está disponível no Centro de Componentes Semicondutores e de Nanotecnologias da Unicamp junto ao Projeto Temático “r”, sob coordenação do professor . O prazo de inscrição termina em 16 de março de 2018.
O projeto visa estudar e desenvolver tecnologias de fabricação de multimicrocanais para o desenvolvimento de processos de transferência de calor de elevado desempenho com mudança de fase aplicados ao aproveitamento de energia solar.
Serão usados processos de corrosão seca, que são de fundamental importância para obter microcanais com profundidades de dezenas a centena de micrômetros. Para fabricação de microcanais em substrato de silício no projeto, será utilizado o processo de corrosão Bosch.
A vaga requer bom nível de comunicação em português e em inglês e boas habilidades e experiência no desenvolvimento de processos de microfabricação em substratos de silício, tais como deposições de metais e de dielétricos, corrosão por plasma de acoplamento indutivo e litografia.
Os candidatos devem enviar por e-mail para o professor supervisor do projeto, (jadiniz@unicamp.br), uma carta de apresentação com justificativa de interesse e experiência nos tópicos propostos, curriculum vitae acadêmico atualizado e duas cartas de recomendação.
Mais informações sobre a vaga estão disponíveis em .
A vaga está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 7.174,80 mensais e Reserva Técnica. A Reserva Técnica de Bolsa de PD equivale a 15% do valor anual da bolsa e tem o objetivo de atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.
Caso o bolsista de PD resida em domicílio diferente e precise se mudar para a cidade onde se localiza a instituição-sede da pesquisa, poderá ter direito a um Auxílio-Instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em .
Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em .