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Pós-doutorado em Eletroquímica com Bolsa da FAPESP

20/05/2015 by redacao

Agência FAPESP – O Instituto de Química de Araraquara da Universidade Estadual Paulista (Unesp) dispõe de duas oportunidades de pós-doutorado em Eletroquímica, vinculadas ao Projeto Temático , apoiado pela FAPESP.

O objetivo do projeto é o desenvolvimento de uma nova plataforma tecnológica baseada em uma nova forma de análise de impedância eletroquímica, para uso em diagnóstico, prognóstico ou detecção de analito (em meio ambiente, alimentar etc.).

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De acordo com o pesquisador responsável pelo projeto, o professor Paulo Roberto Bueno, o trabalho preliminar mostrou que a metodologia é altamente eficaz comparada aos métodos de impedância padrão.

A data-limite para inscrições é 30 de maio de 2015. Uma das Bolsas terá duração de 24 meses e a oportunidade está publicada em. A outra Bolsa terá duração de 14 meses: .

A seleção para ambas será feita com base no curriculum vitae acadêmico, experiência no tema do projeto, adaptação da experiência acadêmica ao projeto e carta de recomendação.

Os candidatos devem enviar os documentos para inscrição (currículo acadêmico e duas cartas de recomendação) para o professor Bueno (prbueno@iq.unesp.br). Mais detalhes sobre o grupo de pesquisa estão em .

As vagas estão abertas a brasileiros e estrangeiros. Os selecionados receberão Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 6.143,30 mensais e Reserva Técnica. A Reserva Técnica de Bolsa de PD equivale a 15% do valor anual da bolsa e tem o objetivo de atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.

Caso os bolsistas de PD residam em domicílio diferente e precisem se mudar para a cidade onde se localiza a instituição sede da pesquisa, poderão ter direito a um Auxílio-Instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em .

Outras vagas de Bolsas de Pós-Doutorado, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em.

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Arquivado em: Brasil, Inscricao, Oportunidades

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